Memory

poco-DRAM

40011071_200

Random Access = 25ns

40301111_100

poco-DRAM

20161130_100

Random Access = 60ns

40301228_100

JEDEC
std.DRAM

 

Historical DRAM roadmap has been focusing on the I/O bandwidth, such as DDR800, 1600, 2000 and beyond. While its benefit is visible in Burst-access, that value is almost disappeared in Random-access.

A slow DRAM Random-access often causes the performance bottleneck in the system application, such as packet, graphics and data processing.

The robust Random-access speed according to poco-DRAM carries out maximum 2x faster than that of JEDEC standard DRAM.

poco-DRAM products

45703041_200

products Compatibility Density I/O tRC Status
Sample Production
poco-DRAM2 DDR2 DRAM 1Gbit x16 24ns Now Now
poco-DRAM3 DDR3 DRAM 1Gbit x16 30ns Now Dec.2016
poco-DRAM3S DDR3 DRAM 1Gbit x16 25ns Dec.2016 Mar.2017

 

Memory

poco-DRAM

従来、汎用のDRAMはI/Oのバンド幅(DDR800,1600,2000, ・・・)に注目して開発されてきました。したがって、バーストアクセスに対しては高速動作が実現可能ですが、一方でランダムアクセスに対しては、全く高速化されていません。ネットワークや画像処理用途では、このランダムアクセス性能が要求されますので、汎用DRAMを使う限りその性能がボトルネックとなっています。当社製poco-DRAMは、汎用DRAMに比べ最大2倍の性能向上を達成しました。